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IR (Infineon Technologies) / BSZ084N08NS5ATMA1

BSZ084N08NS5ATMA1

製造業者識別番号: BSZ084N08NS5ATMA1
メーカー: IR (Infineon Technologies)
説明の一部: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
データシート: BSZ084N08NS5ATMA1 データシート
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況: 在庫あり
発送元: Hong Kong
発送方法: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

仕様
タイプ 説明
シリーズOptiMOS™
パッケージTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
部品ステータスActive
FETタイプN-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧(Vdss)80 V
電流-連続排水(Id)@ 25°C40A (Tc)
ドライブ電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs8.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id3.8V @ 31µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs25 nC @ 10 V
Vgs(最大)±20V
入力静電容量(Ciss)(Max)@ Vds1820 pF @ 40 V
FET機能-
消費電力(最大)63W (Tc)
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージPG-TSDSON-8-FL
パッケージ/ケース8-PowerTDFN
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在庫状況: 3127

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